在集成電路(IC)制造過(guò)程中,硅片要經(jīng)歷數(shù)百道清洗、腐蝕工序,超純水(UPW)是最重要的工藝介質(zhì)之一。據(jù)行業(yè)研究,用水中TOC若超過(guò)10 ppb,將帶來(lái)以下后果:
• 有機(jī)分子吸附在硅片表面,形成有機(jī)薄膜,導(dǎo)致氧化層缺陷
• 影響光刻膠的附著力,造成圖案漂移,影響線寬精度
• 加速設(shè)備管路生物膜形成,污染整個(gè)循環(huán)水系統(tǒng)
• 直接導(dǎo)致芯片良率下降,在先進(jìn)制程(7 nm以下)工藝中影響尤為顯著
ITRS國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖建議:先進(jìn)制程超純水TOC控制目標(biāo) < 1 ppb;常規(guī)8英寸產(chǎn)線TOC < 5 ppb;基礎(chǔ)12英寸產(chǎn)線TOC < 10 ppb。

地表水中普遍含有腐殖酸、富里酸等天然有機(jī)物,即使經(jīng)過(guò)深度預(yù)處理,仍有微量殘留進(jìn)入超純水系統(tǒng)。
混床離子交換樹(shù)脂在再生初期會(huì)溶出少量有機(jī)低聚物,尤其是新樹(shù)脂投用階段,TOC可能出現(xiàn)短暫升高。
PVC、PVDF等管材在高溫或強(qiáng)氧化條件下會(huì)緩慢釋放有機(jī)小分子;O形圈、密封墊等橡膠件也是TOC的潛在來(lái)源。
設(shè)備檢修時(shí)手套上的汗液、清潔劑殘留等,均可能在重新投產(chǎn)初期造成TOC短暫升高。
面對(duì)10 ppb甚至更低的檢測(cè)要求,TOCG-3041憑借以下差異化優(yōu)勢(shì)脫穎而出:
得益于差示電導(dǎo)率精密測(cè)量電路和獨(dú)特的UV照射腔體設(shè)計(jì),TOCG-3041檢出限低至0.3 ppb,滿足先進(jìn)制程超純水的在線監(jiān)控需求,是目前國(guó)內(nèi)同類產(chǎn)品中檢出限低的在線TOC儀器之一。
與濕化學(xué)法相比,TOCG-3041不需要持續(xù)消耗過(guò)硫酸鉀等化學(xué)試劑,避免試劑本身帶入的TOC干擾(試劑空白問(wèn)題),測(cè)量結(jié)果更加穩(wěn)定可信。
儀器采用全流通式設(shè)計(jì),被測(cè)水樣在管路中持續(xù)流動(dòng),取樣無(wú)死區(qū),保證了測(cè)量結(jié)果實(shí)時(shí)代表管路水質(zhì)。
一套典型的300mm晶圓廠超純水TOC監(jiān)控方案包含以下核心監(jiān)測(cè)節(jié)點(diǎn):
• 反滲透(RO)產(chǎn)水:驗(yàn)證RO去除有機(jī)物效果,TOC控制目標(biāo) < 100 ppb
• EDI出水:評(píng)估電去離子系統(tǒng)性能,TOC控制目標(biāo) < 20 ppb
• UV氧化器出水:監(jiān)控UV降TOC效果,TOC控制目標(biāo) < 5 ppb
• 精制混床出水(供水總管):最終產(chǎn)水質(zhì)量,TOC控制目標(biāo) < 2 ppb
• 各用水點(diǎn)末端回水:實(shí)時(shí)檢測(cè)回水TOC,判斷產(chǎn)線污染情況
所有測(cè)量節(jié)點(diǎn)的數(shù)據(jù)通過(guò)工廠以太網(wǎng)匯入制造執(zhí)行系統(tǒng)(MES),實(shí)現(xiàn)全流程TOC數(shù)字化管控。
• 誤區(qū)一:只看價(jià)格,忽視檢出限。超純水場(chǎng)景中,檢出限是核心參數(shù),低價(jià)儀器往往檢出限在50~100 ppb,無(wú)法滿足先進(jìn)制程要求
• 誤區(qū)二:忽視樣品溫度要求。超純水溫度通常在20~25℃,但部分工廠有高溫段,須確認(rèn)儀器耐溫規(guī)格
• 誤區(qū)三:通訊協(xié)議不兼容。務(wù)必確認(rèn)儀器支持工廠現(xiàn)有DCS/MES的通訊接口標(biāo)準(zhǔn)
博取儀器TOCG-3041已在半導(dǎo)體行業(yè)建立成熟應(yīng)用案例。
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